Liniowy przewodnik w dziedzinie półprzewodnikowych przetwarzania przetwarzania zalet zastosowania
Liniowy przewodnik w dziedzinie półprzewodnikowej przetwarzania opłatek do przetwarzania znaczących zalet, szczególnie odzwierciedlonego w następujących aspektach:
Pozycjonowanie o wysokiej precyzji: W odpowiedzi na popyt na wysoką precyzję w procesie fotolitografii przyjęto ceramiczny przewodnik liniowy, z szorstką RA<0.05μm after special polishing treatment, and with advanced drive and feedback system, sub-micrometer accurate positioning can be realized. This ensures the precise alignment of the mask plate and wafer in the photolithography process, guaranteeing the accuracy of the chip's critical dimensions (CD), such as a 12-inch wafer fab after the application of the key dimensions of the chip manufacturing deviation reduced by 40%, which greatly improves the precision and yield of chip manufacturing.
Wysoka czystość: Środowisko produkcji półprzewodników wymaga bardzo wysokiego stopnia czystości, sam w sobie ceramiczny przewodnik liniowy nie jest łatwy do adsorbowania cząstek i może stabilnie działać w środowisku próżniowym, skutecznie zmniejszając zanieczyszczenia wytwarzane przez przewodnik po zanieczyszczeniu waflu, aby uniknąć wad z powodu cząstek z powodu cząstek przylegających do układu chipowego, aby zapewnić, że wytwarzanie układu czystości.
Wysoka stabilność i silna szybkość reakcji: W wytrawianiu i innych procesach przetwarzanie płytki występują częste zmiana start i kierunku, zoptymalizowany system krążenia piłki po przewodniku liniowym, może sprawić, że przyspieszenie zatrudnienia suwaka do 15 g, jednocześnie, płynność kontroli błędu ruchu przy ± 0. 002 mm, aby zapewnić, że warunki ruchu mogą być nadal stabilne dla ciągłości przetwarzania i ochronności ochronnej, zaopatrzenia się w ochronę ochronną, zaopatrzyć się w ochronę ochronną, poprawiać ochronę ochronną. Wydajność produkcji. System został zaprojektowany w celu zapewnienia ciągłości i stabilności przetwarzania opłat i poprawy wydajności produkcji.
